|
|
|
FLASH Memory，快闪存储器，简称闪存。FLASH闪存是EEPROM的变种。不同的是EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。FLASH擦除写入速度比较快，为强调其写入速度快才成为闪存。
|
|
|
|
FLASH分两类：NOR FLASH和NAND FLASH。
|
|
|
|
|
|
任何FLASH器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
|
|
|
|
NOR FLASH带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节，因此可直接连接系统总线，构成内存储器。
|
|
|
|
|
|
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，采用串行接口，不能直接构成内存，只能用来构成外存储器。NAND读和写操作一般采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作。很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
.NOR FLASH上面可直接运行程序，NAND FLASH上仅可以存储信息。
|
|
|
