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2023年上半年 上午试卷 综合知识
第 43 题
知识点 关系运算   ROM  
章/节 数据库系统  
 
 
在关系 R(A1, A2, A3)和 S(A1, A2, A3)上进行关系运算的 4 个等价的表达式E1、E2、E3 和 E4 如下所示:

如果严格按照表达式运算顺序,则查询效率最高的是( ),将该查询转换价的SQL 语句为: SELECT A1, A4 FROM R,S WHERE( )。
 
  A.  E1
 
  B.  E2
 
  C.  E3
 
  D.  E4
 
 




 
 
相关试题     数据操作 

  第44题    2017年上半年  
在关系R(A1,A2 ,A3) 和S(A2,A3 ,A4) 上进行关系运算,与该关系表达式等价的是(44)。

  第45题    2016年上半年  
给定关系R(A,B,C,D)和关系S(C,D,E),对其进行自然连接运算R⋈S后的属性列为(44)个;与σR.B>S.E(R⋈S)等价的关系代数表达式为(45)。

  第44题    2016年上半年  
给定关系R(A,B,C,D)和关系S(C,D,E),对其进行自然连接运算R⋈S后的属性列为(44)个;与σR.B>S.E(R⋈S)等价的关系代数表达式为(45)。

 
知识点讲解
· 关系运算
· ROM
 
        关系运算
        在3.4.1节的集合运算基础上,关系数据库还有一些专门的运算,主要有投影、选择、连接、除法和外连接。它们是关系代数最基本的操作,也是一个完备的操作集。在关系代数中,由五种基本代数操作经过有限次复合的式子称为关系代数运算表达式。表达式的运算结果仍是一个关系。我们可以用关系代数表达式表示各种数据查询和更新处理操作。
        (1)投影。投影操作从关系R中选择出若干属性列组成新的关系,该操作对关系进行垂直分割,消去某些列,并重新安排列的顺序,再删去重复元组。记作:
        πAR)≡{t[A]|tR}
        其中AR的属性列。
        (2)选择。选择操作在关系R中选择满足给定条件的所有元组,记作:
        σFR)≡{t|tRFt)=true}
        其中F表示选择条件,是一个逻辑表达式(逻辑运算符+算术表达式)。选择运算是从行的角度进行的运算。
        (3)θ连接。θ连接从两个关系的笛卡儿积中选取属性间满足一定条件的元组记作:
        
        其中AB分别为RS上度数相等且可比的属性组。θ为“=”的连接,称作等值连接,记作:
        
        如果两个关系中进行比较的分量必须是相同的属性组,并且在结果中把重复的属性列去掉,则称为自然连接,记作:
        
        (4)除法。设两个关系RS的元数分别为rs(设r>s>0),那么R÷S是一个(r-s)元的元组的集合。(R÷S)是满足下列条件的最大关系:其中每个元组tS中每个元组u组成新元组<tu>必在关系R中。其具体计算公式如下:
        R÷S=π1,2,…,r-sR)-π1,2,…,r-s((π1,2,…,r-sR)×S)-R
        (5)外联接。两个关系RS进行自然连接时,选择两个关系RS公共属性上相等的元组,去掉重复的属性列构成新关系。这样,关系R中的某些元组有可能在关系S中不存在公共属性值上相等的元组,造成关系R中这些元组的值在运算时舍弃了;同样关系S中的某些元组也可能舍弃。为此,扩充了关系运算左外连接、右外连接和完全外连接。
        .左外连接:RS进行自然连接时,只把R中舍弃的元组放到新关系中。
        .右外连接:RS进行自然连接时,只把S中舍弃的元组放到新关系中。
        .完全外连接:RS进行自然连接时,只把RS中舍弃的元组都放到新关系中。
        (6)关系运算实例。设两个关系模式RS如下表一所示,则π1,2R)的结果如下表二所示,σ1>2(R)的结果如下表三所示,的结果如下表四所示,RS的左外连接如下表五所示,RS的右外连接如下表六所示,RS的完全外连接如下表七所示。
        
        关系RS
        
        对关系R求投影操作
        
        对关系R求选择操作
        
        对关系RS的自然连接
        
        RS的左外连接
        
        RS的右外连接
        
        RS的完全外连接
 
        ROM
        只读存储器(Read-Only Memory,ROM)。ROM的重要特性是其存储信息的非易失性,存放在ROM中的信息不会因去掉供电电源而丢失,再次上电时,存储信息依然存在。其结构较简单,读出较方便,因而常用于存储各种固定程序和数据。
               PROM
               可编程只读存储器(Programmable ROM,PROM)的内部有行列式的熔丝,是需要利用电流将其烧断,写入所需的资料,但仅能写录一次(又称作OTPROM,One Time Programmable Read Only Memory)。PROM在出厂时,存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0,则用户可以将其中的部分单元写入1),以实现对其“编程”的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”,如果想改写某些单元,则可以给这些单元通以足够大的电流,并维持一定的时间,原先的熔丝即可熔断,这样就达到了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM,出厂时,其中的二极管处于反向截止状态,还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”上,造成其永久性击穿即可。
               EPROM
               可抹除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory,EPROM)是目前使用最广泛的ROM。其利用高电压电流将资料编程写入,抹除时将线路曝光于紫外线下,则资料可被清空。之后又可以用电的方法对其重新编程,重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。
               利用物理方法(紫外线)可擦除的RROM通常称为EPROM;用电的方法可擦除的PROM称为EEPROM(E2PROM)。
               EEPROM
               电子式可抹除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,EEPROM)之运作原理类似EPROM,但是抹除的方式是使用高电场来完成。
               EPROM需用紫外光擦除,使用不方便也不稳定。20世纪80年代制出的EEPROM,克服了EPROM的不足,但集成度不高,价格较贵。



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