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  第8题      
  知识点:   存储器   DRAM   EEPROM   EPROM   PROM   RAM   ROM   SRAM   列存储
  关键词:   RAM   存储器   随机存取        章/节:   硬件基础知识       

 
在下列存储器中,采用随机存取方式工作的是()。
DRAM
②SRAM
EEPROM
④CD-ROM
⑤DVD-ROM
 
 
  A.  ①②③
 
  B.  ③④⑤
 
  C.  ①②④⑤
 
  D.  ②③④⑤
 
 
 

 
  第5题    2014年上半年  
   56%
在高速缓冲存储器(Cache)-主存层次结构中,地址映像以及和主存数据的交换由(5)完成。
  第5题    2017年下半年  
   40%
以下存储器中,需要周期性刷新的是( )。
  第5题    2019年下半年  
   48%
常用的虚拟存储器由(5)两级存储器组成。
   知识点讲解    
   · 存储器    · DRAM    · EEPROM    · EPROM    · PROM    · RAM    · ROM    · SRAM    · 列存储
 
       存储器
        存储器是计算机的一个重要组成部分,它用来保存计算机工作所必需的程序和数据。正因为有了存储器,计算机才有信息记忆功能。
               分类
               1)按在计算机中的作用分类
               按在计算机中的作用可分为内部存储器、外部存储器和缓冲存储器。
               (1)内部存储器简称内存或主存。内存是主机的一个组成部分,它用来容纳当前正在使用的,或者经常要使用的程序或数据,CPU可以直接从内部存储器取指令或存取数据。
               (2)外部存储器简称外存或辅存。外存也是用来存储各种信息的,但是CPU要使用这些信息时,必须通过专门的设备将信息先传送到内存中,因此外存存放相对来说不经常使用的程序和数据。另外,外存总是和某个外部设备相关的。
               (3)缓冲存储器用于两个工作速度不同的部件之间,在交换信息过程中起缓冲作用。
               2)按存储介质分类
               按存储介质可分为半导体存储器、磁表面存储器和光电存储器。
               3)按存取方式分类
               按存取方式可分为随机存储器(RAM)、只读存储器(ROM)和串行访问存储器。
               (1)随机存储器(Random Access Memory, RAM)又称为读写存储器,是指通过指令可以随机地、个别地对各个存储单元进行访问。它是易失性存储器,这种存储器一旦去掉其电源,则所保存的信息全部丢失。
               (2)只读存储器(Read Only Memory, ROM)是一种对其内容只能读不能写入的存储器。它属于非易失性存储器,当去掉其电源后,所保存的信息仍保持不变。
               (3)串行访问存储器(Serial Access Storage, SAS)是指对存储器的信息进行读写时,需要顺序地访问。
               主存储器
               1)主存储器的种类
               主存储器一般由半导体随机存储器(RAM)和只读存储器(ROM)组成,其绝大部分由RAM组成。按所用元件类型来分有双极性和MOS存储器两类。前者存取速度比后者高,但集成度不如后者,价格也高,主要用于小容量存储器,后者主要用于大容量存储器。MOS存储器按存储元件在运行中能否长时间保存信息来分,有静态存储器(SRAM)和动态存储器(DRAM)两种。前者只要不断电,信息就不会丢失,而后者需要不断给电容充电才能使信息保持。由于后者密度大且较便宜,故使用较多。
               2)主存储器的主要技术指标
               衡量一个主存储器的性能指标主要为主存容量、可直接寻址空间、存储器存取时间、存储周期时间和带宽等。
               (1)主存容量是指每个存储芯片所能存储的二进制的位数,也就是存储单元数乘以数据线位数。
               (2)可直接寻址空间是由地址线位数确定的。例如,提供32位物理地址的计算机支持对4(232)GB的物理主存空间的访问。
               (3)存储器存取时间又称为存储器访问时间,是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。
               (4)存储周期时间是指连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间。
               (5)带宽是指存储器的数据传送率,即每秒传送的数据位数。
               3)主存储器的构成
               主存储器一般由地址寄存器、数据寄存器、存储矩阵、译码电路和控制电路组成。
               (1)地址寄存器(MAR)用来存放由地址总线提供的将要访问的存储单元的地址码。
               (2)数据寄存器(MDR)用来存放要写入存储矩阵或从存取矩阵中读取的数据。
               (3)存储矩阵用来存放程序和数据的存储单元排成的矩阵。
               (4)译码电路根据存放在地址寄存器中的地址码,在存储体中找到相应的存储单元。
               (5)控制电路根据读写命令控制主存储器的各部分协作完成相应的操作。
               4)主存储器的基本操作
               要从存储器中取一个信息字,CPU必须指定存储器字地址,并进行"读"操作。CPU把信息字的地址送到MAR,经地址总线送往主存储器,同时CPU应用控制线发一个"读"请求。此后,CPU等待从主存储器发回来的回答信号,通知CPU"读"操作完成,说明存储字内容已经读出并放在数据总线上送入MDR。
               为了存一个字到主存,CPU先将信息字在主存中的地址经MAR送到地址总线,并将信息字送到MDR,同时CPU发出"写"命令。此后,CPU等待从主存储器发回来的回答信号,通知CPU"写"操作完成,说明主存从数据总线接收到信息字并按地址总线指定的地址存储。
               外存储器
               外存储器的特点是容量大、价格低,但是存取速度慢,用于存放暂时不用的程序和数据。外存储器主要有磁盘存储器、磁带存储器和光盘存储器。磁盘是最常用的外存储器,通常分软磁盘和硬磁盘两类。目前,常用的外存储器有软盘、硬盘和光盘存储器。它们和内存一样,存储容量也是以字节为基本单位的。
               1)软磁盘存储器
               软磁盘是用柔软的聚酯材料制成圆形底片,在两个表面涂有磁性材料。目前,常用软盘的直径为3.5英寸。软磁盘安装在硬塑胶盒中,而且没有裸露部分,因此使盘片得到了更好的保护,信息在磁盘上是按磁道和扇区的形式来存放的。磁道即磁盘上的一组同心圆的信息记录区,它们由外向内编号,一般为0~79道。每条磁道被划成相等的区域,称为扇区。一般每磁道有9、15或18个扇区。每个扇区的容量为512B。一个软盘的存储容量可由下面的公式算出,即
               软盘总容量=磁道数×扇区数×扇区字节数(512B)×磁盘面数(2)
               例如,3.5英寸软盘有80个磁道,每条磁道18个扇区,每个扇区512B,共有两面,则其存储容量的计算公式为:
               软盘容量=80×18×512×2=1 474 560B=1.44MB
               扇区是软盘(或硬盘)的基本存储单元,每个扇区记录一个数据块,数据块中的数据按顺序存取。扇区也是磁盘操作的最小可寻址单位,与内存进行信息交换是以扇区为单位进行的。
               在进行写入操作时,写保护开关先要对磁盘是否有写保护缺口进行检索,如果检测到有写保护缺口,则允许进行写操作;如果没有或被胶纸黏封,则不能进行写操作。
               使用软磁盘应注意防磁、防潮、防污(灰尘和手摸)、防丢信息(写保护和勤复制)和防病毒(常加写保护,不使用来历不明的软磁盘)。
               2)硬磁盘存储器
               硬磁盘是由涂有磁性材料的铝合金圆盘组成的。目前常用的硬盘是3.5英寸的,这些硬盘通常采用温彻斯特技术,即把磁头、盘片及执行机构都密封在一个整体内,与外界隔绝,所以这种硬盘也称为温彻斯特盘。
               硬盘的两个主要性能指标是硬盘的平均寻道时间和内部传输速率。一般来说,转速越高的硬盘寻道的时间越短,而且内部传输速率也越高,不过内部传输速率还受硬盘控制器Cache的影响。目前,市场上硬盘常见的转速有5400r/min、7200r/min,最快的平均寻道时间为8ms,内部传输速率最高为190MB/s。硬盘的每个存储表面被划分成若干个磁道(不同硬盘磁道数不同),每个磁道被划分成若干个扇区(不同的硬盘扇区数不同)。每个存储表面的同一道形成一个圆柱面,称为柱面。柱面是硬盘的一个常用指标。
               硬盘的存储容量计算公式为
               存储容量=记录面面数×每面磁道数×每扇区字节数×扇区数
               例如,某硬盘有记录面15个,磁道数(柱面数)8894个,每道63扇区,每扇区512B,则其存储容量为
               15×8894×512×63=4.3GB
               使用硬盘应注意避免频繁开关机器电源,应使其处于正常的温度和湿度、无振动、电源稳定的良好环境。
               3)光盘存储器
               光盘指的是利用光学方式进行信息存储的圆盘。人们把采用非磁性介质进行光存储的技术称为第一代光存储技术,其缺点是不能像磁记录介质那样把内容抹掉后重新写入新的内容。把采用磁性介质进行光存储的技术称为第二代光学存储技术,其主要特点是可擦写。
               光盘存储器可分成CD-ROM、CD-R和可擦除型光盘。
               CD-ROM(Compact Disc-Read Only Memory),是只读型光盘,这种光盘的盘片是由生产厂家预先将数据或程序写入,出厂后用户只能读取,而不能写入或修改。CD-R(CD-Recordable),即一次性可写入光盘,但必须在专用的光盘刻录机中进行。可擦除型光盘可多次写入。
               高速缓冲存储器
               计算机的主-辅存层次解决了存储器的大容量和低成本之间的矛盾,但是在速度方面,计算机的主存和CPU一直有很大的差距,这个差距限制了CPU速度潜力的发挥。为了弥合这个差距,设置高速缓冲存储器(Cache)是解决存取速度的重要方法。就是在主存和CPU之间设置一个高速的容量相对较小的存储器,如果当前正在执行的程序和数据存放在这个存储器中,当程序运行时不必从主存取指令和数据,所以提高了程序的运行速度。它具有以下特点。
               (1)位于CPU与主存之间。
               (2)容量小,一般在几千字节到几兆字节之间。
               (3)速度一般比主存快5~10倍,由快速半导体存储器制成。
               虚拟存储器
               主存的特点是速度快但容量小,CPU可直接访问。外存的特点是容量大和速度慢,CPU不能直接访问。用户的程序和数据通常放在外存中,因此需要经常在主存与外存之间取来送去,由用户来干预调度很不方便。虚拟存储器用来解决这个矛盾,使用户感到他可以直接访问整个内、外存空间,而不需用户干预。因此容量很大的速度较快的外存储器(硬磁盘)成为虚拟存储器主要组成部分。用户程序采用虚地址访问整个虚拟空间,而指令执行时只能访问主存空间。因此,必须进行虚实地址转换,把不在主存的单元内容调入主存某单元,再按转换的实地址进行访问。
 
       DRAM
        DRAM将每个位存储为对一个电容的充电,每个单元由一个电容和一个访问晶体管组成。当DRAM存储器单元中的电容非常小,它被干扰之后很难恢复,也有很多原因会造成电容漏电,因此为了避免存储信息的丢失,必须定时地给电容补充电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”,因此DRAM内部要有刷新控制电路,其操作也比静态RAM复杂。尽管如此,由于DRAM存储单元的结构非常简单,所用元器件少且功耗低,可以制造得很密集,已成为大容量RAM的主流产品。
        DRAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息,但由于栅极电容的容量很小,而漏电流又不可能绝对等于0,所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失,必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”,因此DRAM内部要有刷新控制电路,其操作也比静态RAM复杂。
        DRAM必须定时不断刷新,以保证所存储的信息不会丢失,这或许是称之为动态的原因。初始加电时,其状态是随机的。写入新的状态,原来的旧状态就消失了。新状态会一直维持到写入新的状态为止。在电路上加上电源不进行读写及刷新操作时,只是保持在加电状态下,电路中没有晶体管导通,也就没有电流流过(会有极其微小的漏电流存在),也就没有功率消耗(或功耗可忽略不计)。因此,DRAM的功耗非常小,其集成度可做的很高,当前的一块DRAM芯片的集成度可达GB级别。
        常说的内存条,就是由DRAM构成。随着时间发展,DRAM经历若干代变更,早期的PM DRAM、EDO DRAM均已淘汰,目前仍在使用的主要是SDRAM和DDR SDRAM。
 
       EEPROM
        电子式可抹除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,EEPROM)之运作原理类似EPROM,但是抹除的方式是使用高电场来完成。
        EPROM需用紫外光擦除,使用不方便也不稳定。20世纪80年代制出的EEPROM,克服了EPROM的不足,但集成度不高,价格较贵。
 
       EPROM
        可抹除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory,EPROM)是目前使用最广泛的ROM。其利用高电压电流将资料编程写入,抹除时将线路曝光于紫外线下,则资料可被清空。之后又可以用电的方法对其重新编程,重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。
        利用物理方法(紫外线)可擦除的RROM通常称为EPROM;用电的方法可擦除的PROM称为EEPROM(E2PROM)。
 
       PROM
        可编程只读存储器(Programmable ROM,PROM)的内部有行列式的熔丝,是需要利用电流将其烧断,写入所需的资料,但仅能写录一次(又称作OTPROM,One Time Programmable Read Only Memory)。PROM在出厂时,存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0,则用户可以将其中的部分单元写入1),以实现对其“编程”的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”,如果想改写某些单元,则可以给这些单元通以足够大的电流,并维持一定的时间,原先的熔丝即可熔断,这样就达到了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM,出厂时,其中的二极管处于反向截止状态,还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”上,造成其永久性击穿即可。
 
       RAM
        易失性存储设备的代表是随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)。在计算机存储体系结构中,RAM是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫主存或内存,其内部结构图如下图2-12所示。
        
        RAM结构图
        RAM电路由地址译码器、存储矩阵和读写控制电路三部分组成,如上图所示。存储矩阵由触发器排列而成,每个触发器能存储一位数据(0/1)。通常将每一组存储单元编为一个地址,存放一个“字”;每个字的位数等于这组单元的数目。存储器的容量以“字数×位数”表示。地址译码器将每个输入的地址代码译成高(或低)电平信号,从存储矩阵中选中一组单元,使之与读写控制电路接通。在读写控制信号的配合下,将数据读出或写入。
        RAM的特点之一就是随机读写,其含义指的是当RAM存储器中的数据被读取或写入时,所需要的时间与这段信息所在位置或所写入位置是无关的。
        RAM的读写速度很快,几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
        RAM存储器在断电时将丢失其存储内容,所以称为易失性存储设备,其主要用于存储短时间使用的程序。易失性和RAM的结构有关:随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1(二进制),未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形,若不作特别处理,数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态,然后按照原来的状态重新为电容器充电,弥补流失电荷。需要刷新就解释了随机存取存储器的易失性。
        按照RAM存储单元的工作原理,RAM又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。
               SRAM
               静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此,它是靠触发器的自保功能存储数据的。SRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元,每个单元用一个六晶体管电路实现。
               数据一旦写入,其信息就稳定的保存在电路中等待读出。无论读出多少次,只要不断电,此信息会一直保持下去。SRAM初始加电时,其状态是随机的。写入新的状态,原来的旧状态就消失了。新状态会一直维持到写入新的状态为止。
               在电路工作时,即使不进行读写操作,只要保持在加电状态下,电路中就一定有晶体管导通,就一定就有电流流过,带来功率消耗。因此与DRAM相比,SRAM功耗较大,集成度不能做得很高。
               高速缓存Cache一般采用SRAM。高速缓冲存储器是存在于主存与CPU之间的一级存储器,由静态存储芯片(SRAM)组成,容量比较小但速度比主存高得多,接近于CPU的速度。
               DRAM
               DRAM将每个位存储为对一个电容的充电,每个单元由一个电容和一个访问晶体管组成。当DRAM存储器单元中的电容非常小,它被干扰之后很难恢复,也有很多原因会造成电容漏电,因此为了避免存储信息的丢失,必须定时地给电容补充电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”,因此DRAM内部要有刷新控制电路,其操作也比静态RAM复杂。尽管如此,由于DRAM存储单元的结构非常简单,所用元器件少且功耗低,可以制造得很密集,已成为大容量RAM的主流产品。
               DRAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息,但由于栅极电容的容量很小,而漏电流又不可能绝对等于0,所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失,必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”,因此DRAM内部要有刷新控制电路,其操作也比静态RAM复杂。
               DRAM必须定时不断刷新,以保证所存储的信息不会丢失,这或许是称之为动态的原因。初始加电时,其状态是随机的。写入新的状态,原来的旧状态就消失了。新状态会一直维持到写入新的状态为止。在电路上加上电源不进行读写及刷新操作时,只是保持在加电状态下,电路中没有晶体管导通,也就没有电流流过(会有极其微小的漏电流存在),也就没有功率消耗(或功耗可忽略不计)。因此,DRAM的功耗非常小,其集成度可做的很高,当前的一块DRAM芯片的集成度可达GB级别。
               常说的内存条,就是由DRAM构成。随着时间发展,DRAM经历若干代变更,早期的PM DRAM、EDO DRAM均已淘汰,目前仍在使用的主要是SDRAM和DDR SDRAM。
               DDR SDRAM
               双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate SDRAM,DDR SDRAM)。通常人们习惯称之为DDR。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系。
               内存主频和CPU主频一样,习惯上被用来表示内存的速度,它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz(兆赫)为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。
 
       ROM
        只读存储器(Read-Only Memory,ROM)。ROM的重要特性是其存储信息的非易失性,存放在ROM中的信息不会因去掉供电电源而丢失,再次上电时,存储信息依然存在。其结构较简单,读出较方便,因而常用于存储各种固定程序和数据。
               PROM
               可编程只读存储器(Programmable ROM,PROM)的内部有行列式的熔丝,是需要利用电流将其烧断,写入所需的资料,但仅能写录一次(又称作OTPROM,One Time Programmable Read Only Memory)。PROM在出厂时,存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0,则用户可以将其中的部分单元写入1),以实现对其“编程”的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”,如果想改写某些单元,则可以给这些单元通以足够大的电流,并维持一定的时间,原先的熔丝即可熔断,这样就达到了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM,出厂时,其中的二极管处于反向截止状态,还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”上,造成其永久性击穿即可。
               EPROM
               可抹除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory,EPROM)是目前使用最广泛的ROM。其利用高电压电流将资料编程写入,抹除时将线路曝光于紫外线下,则资料可被清空。之后又可以用电的方法对其重新编程,重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。
               利用物理方法(紫外线)可擦除的RROM通常称为EPROM;用电的方法可擦除的PROM称为EEPROM(E2PROM)。
               EEPROM
               电子式可抹除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,EEPROM)之运作原理类似EPROM,但是抹除的方式是使用高电场来完成。
               EPROM需用紫外光擦除,使用不方便也不稳定。20世纪80年代制出的EEPROM,克服了EPROM的不足,但集成度不高,价格较贵。
 
       SRAM
        静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此,它是靠触发器的自保功能存储数据的。SRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元,每个单元用一个六晶体管电路实现。
        数据一旦写入,其信息就稳定的保存在电路中等待读出。无论读出多少次,只要不断电,此信息会一直保持下去。SRAM初始加电时,其状态是随机的。写入新的状态,原来的旧状态就消失了。新状态会一直维持到写入新的状态为止。
        在电路工作时,即使不进行读写操作,只要保持在加电状态下,电路中就一定有晶体管导通,就一定就有电流流过,带来功率消耗。因此与DRAM相比,SRAM功耗较大,集成度不能做得很高。
        高速缓存Cache一般采用SRAM。高速缓冲存储器是存在于主存与CPU之间的一级存储器,由静态存储芯片(SRAM)组成,容量比较小但速度比主存高得多,接近于CPU的速度。
 
       列存储
        传统的关系型数据库都是以行为单位来进行数据的存储的,擅长进行以行为单位的数据处理,比如特定条件数据的获取。因此,关系型数据库也被称为面向行的数据库。相反,面向列的数据库是以列作为单位来进行数据的存储的,擅长进行以列为单位的数据处理。下表所示为面向行和面向列的数据库的比较。
        
        面向行和面向列的数据库比较
        面向列的数据库具有高扩展性,即使数据增加也不会降低相应的处理速度,所有它主要应用于需要处理大量数据的情况。另外,利用面向列的数据库的优势,把它作为批处理程序的存储器来对大量数据进行更新也是非常有用的。
        列存储数据库,主要产品有Google的Bigtable、由Bigtable衍生的Hypertable和HBase、Cassandra这几个数据库。
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