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第54题

知识点： 5种基本的关系代数运算关系运算 ROM

关键词：排序时间复杂度算法章/节：计算机软件知识

给定关系R(A，B，C，D)和S(B，C，E，F)，与关系代数表达式π157（б2=5（R×S））等价的SQL语句如下：
SELECT(54)
FROM R,S(55) 。

A. R.A,R.B,S.F

B. R.A,S.B,S.E

C. R.A,S.E,S.F

D. R.A,S.B,S.F

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给定关系R(A，B，C，D)和S(B，C，E，F)，与关系代数表达式π157（б2=5（R×S））等价的SQL语句如下：
SELE..

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若关系R (H，L，M，P)的主键为全码(All-key)，则关系R的主键应（51）。


知识点讲解
· 5种基本的关系代数运算 · 关系运算 · ROM

5种基本的关系代数运算

5种基本的关系代数运算包括并、差、笛卡儿积、投影、选择，其他运算可以通过基本的关系运算导出。

并

关系R与S具有相同的关系模式，即R与S的元数相同（结构相同）。关系R和关系S的并（Union）由属于R或属于S的元组构成的集合组成，记作

R∪S={t|t∈R∨t∈S}

式中，t为元组变量。

差

关系R与S具有相同的关系模式。关系R与S的差（Difference）由属于R但不属于S的元组构成的集合组成，记作

R-S={t|t∈R∧t?S}

广义笛卡儿积

两个元数分别为n目和m目的关系R和S的广义笛卡儿积（Extended Cartesian Product）是一个n+m列的元组的集合。元组的前n列是关系R的一个元组，后m列是关系S的一个元组。若R有k₁个元组，S有k₂个元组，则关系R和S的广义笛卡儿积有k₁×k₂个元组。记作

R×S={t|t=﹤t_n,t_m﹥∧t_n∈R∧t_m∈S}

投影

投影（Projection）运算是从关系的垂直方向进行运算，在关系R中选择出若干属性列A组成新的关系。记作

π_A(R)={t[A]|t∈R}

选择

选择（Selection）运算是从关系的水平方向进行运算，是从关系R中选择满足给定条件的诸元素，记作

σ_F(R)={t|t∈R∧F(t)=true}

式中，F中的运算对象是属性名（或列的序号）或常数，运算符是算术比较符和逻辑运算符。

关系运算

关系操作的特点是操作对象和操作结果都是集合，而非关系数据模型的数据操作方式则为一次一个记录的方式。关系数据语言分为3类，即关系代数语言、关系演算语言和具有关系代数和关系演算双重特点的语言（如SQL）。关系演算语言包括元组关系演算语言和域关系演算语言。

关系代数语言、元组关系演算和域关系演算是抽象查询语言，它与具体的DBMS中实现的实际语言并不一样，但是可以用它作为评估实际系统中的查询语言能力的标准。

关系运算符有4类，即集合运算符、专门的关系运算符、比较算术符和逻辑运算符。关系运算符如下表所示。

关系运算符

ROM

只读存储器（Read-Only Memory，ROM）。ROM的重要特性是其存储信息的非易失性，存放在ROM中的信息不会因去掉供电电源而丢失，再次上电时，存储信息依然存在。其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。

PROM

可编程只读存储器（Programmable ROM，PROM）的内部有行列式的熔丝，是需要利用电流将其烧断，写入所需的资料，但仅能写录一次（又称作OTPROM，One Time Programmable Read Only Memory）。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0（部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1），以实现对其“编程”的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”，如果想改写某些单元，则可以给这些单元通以足够大的电流，并维持一定的时间，原先的熔丝即可熔断，这样就达到了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”上，造成其永久性击穿即可。

EPROM

可抹除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）是目前使用最广泛的ROM。其利用高电压电流将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空。之后又可以用电的方法对其重新编程，重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。

利用物理方法（紫外线）可擦除的RROM通常称为EPROM；用电的方法可擦除的PROM称为EEPROM（E2PROM）。

EEPROM

电子式可抹除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成。

EPROM需用紫外光擦除，使用不方便也不稳定。20世纪80年代制出的EEPROM，克服了EPROM的不足，但集成度不高，价格较贵。

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