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知识路径: > 计算机系统知识 > 计算机硬件知识 > 存储系统 > 高速缓存、主存类型 >
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相关知识点:14个
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半导体读写存储器简称RWM,习惯上也称为RAM。半导体RAM具有体积小、存取速度快等优点,因而适合作为内存储器使用。按工艺不同可将半导体RAM分为双极型RAM和MOS型RAM两大类,这里以静态MOS存储器芯片为例介绍其组成。
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静态MOS存储器芯片由存储体、读写电路、地址译码和控制电路等部分组成。
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存储体是存储单元的集合。在容量较大的存储器中往往把各个字的同一位组织在一个集成片中。
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地址译码器把用二进制表示的地址转换为译码输入线上的高电位,以便驱动相应的读写电路。地址译码有两种方式:一种是单译码方式,适用于小容量存储器;另一种是双译码方式,适用于容量较大的存储器。
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在双译码结构中,一条X方向的选择线要控制在其上的各个存储单元的字选线,所以负载较大,需要在译码器输出后加驱动器。
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它处于数据总线和被选用的单元之间,用以控制被选中单元的读出或写入,并具有放大信息的作用。
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一个存储芯片的容量往往满足不了计算机对存储器容量的要求,所以需将一定数量的芯片按一定方式连接成一个完整的存储器。在访问某个字时,必须“选中”该字所在的芯片,而其他芯片不被“选中”。因而每个芯片上除了地址线和数据线外,还有片选控制信号。在地址选择时,由芯片外的地址译码器的输入信号以及它的一些控制信号,如“访存控制”来产生片选控制信号,选中要访问的存储字所在的芯片。
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根据CPU给出的信号是读命令还是写命令,控制被选中存储单元的读写。
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存储容量是指每个存储芯片所能存储的二位制位数。主存储存储器按8位二进制位或其倍数划分存储单元,故存储容量通常以字节(8位)为单位。主存容量大则可以运行比较复杂的程序,并可存入大量信息,可利用更完善的软件支撑环境。所以,计算机处理能力的大小在很大程度上取决于主存容量的大小。
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访问时间一般用读出时间TA及写入时间Tw来描述。TA是从存储器接到读命令以后至信息被送到数据总线上所需的时间。Tw是将一个字写入存储器所需的时间。
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存取周期是存储器进行一次完整的读写操作所需要的全部时间,也就是存储器进行连续读写操作所允许的最短间隔时间。一般用TM表示,它直接关系到计算机的运算速度。一般有TM>TA,TM>TW,TM的单位常采用微秒或毫微秒。
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存储器的频宽B表示存储器被连续访问时,可以提供的数据传送速率,通常用每秒钟传送信息的位数(或字节数)来衡量。
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存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来描述,它可理解为两次故障之间的平均时间间隔。显然。MTBF越长,表示可靠性越高。
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