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       SRAM
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被考次数:3次     被考频率:中频率     总体答错率:70%     知识难度系数:     
考试要求:掌握      相关知识点:3个      
        静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此,它是靠触发器的自保功能存储数据的。SRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元,每个单元用一个六晶体管电路实现。
        数据一旦写入,其信息就稳定的保存在电路中等待读出。无论读出多少次,只要不断电,此信息会一直保持下去。SRAM初始加电时,其状态是随机的。写入新的状态,原来的旧状态就消失了。新状态会一直维持到写入新的状态为止。
        在电路工作时,即使不进行读写操作,只要保持在加电状态下,电路中就一定有晶体管导通,就一定就有电流流过,带来功率消耗。因此与DRAM相比,SRAM功耗较大,集成度不能做得很高。
        高速缓存Cache一般采用SRAM。高速缓冲存储器是存在于主存与CPU之间的一级存储器,由静态存储芯片(SRAM)组成,容量比较小但速度比主存高得多,接近于CPU的速度。
 
本知识点历年真题:
隶属试卷 题号/题型 题干 难度系数/错误率
   2010年下半年
   嵌入式系统设计..
   上午试卷 综合知识
第29题
选择题
对于一块具有15条地址线、16条双向数据线的SRAM,其容暈为(29)。

68%
   2010年下半年
   嵌入式系统设计..
   上午试卷 综合知识
第28题
选择题
静态读/写存储器(SRAM)6264芯片写入数据的过在芯片的Ao〜A12端加上要写入单元的地址,在DQ〜D12端加上要写入的数据,使的电平(28)。

82%
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