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知识路径： > 嵌入式系统硬件基础知识 > 嵌入式系统的存储体系 > RAM和ROM的种类 > RAM和ROM的种类与选型 > RAM >
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被考次数：3次
被考频率：中频率
总体答错率：53%
知识难度系数： 
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考试要求：掌握
相关知识点：3个
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DRAM将每个位存储为对一个电容的充电，每个单元由一个电容和一个访问晶体管组成。当DRAM存储器单元中的电容非常小，它被干扰之后很难恢复，也有很多原因会造成电容漏电，因此为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”，因此DRAM内部要有刷新控制电路，其操作也比静态RAM复杂。尽管如此，由于DRAM存储单元的结构非常简单，所用元器件少且功耗低，可以制造得很密集，已成为大容量RAM的主流产品。
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DRAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”，因此DRAM内部要有刷新控制电路，其操作也比静态RAM复杂。
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DRAM必须定时不断刷新，以保证所存储的信息不会丢失，这或许是称之为动态的原因。初始加电时，其状态是随机的。写入新的状态，原来的旧状态就消失了。新状态会一直维持到写入新的状态为止。在电路上加上电源不进行读写及刷新操作时，只是保持在加电状态下，电路中没有晶体管导通，也就没有电流流过（会有极其微小的漏电流存在），也就没有功率消耗（或功耗可忽略不计）。因此，DRAM的功耗非常小，其集成度可做的很高，当前的一块DRAM芯片的集成度可达GB级别。
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常说的内存条，就是由DRAM构成。随着时间发展，DRAM经历若干代变更，早期的PM DRAM、EDO DRAM均已淘汰，目前仍在使用的主要是SDRAM和DDR SDRAM。
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